迎接第三代半導體的產業變革
在電源設計領域，小型化、高效化、高可靠性已成為不可逆的趨勢。傳統硅基器件的物理瓶頸，正制約著消費電子、工業設備、數據中心等場景的能效突破。氮化鎵（GaN）作為第三代半導體核心材料，憑借其寬禁帶特性、高電子遷移率與超高頻性能，為電源設計帶來顛覆性革新。
氮化鎵器件的核心優勢：從物理特性到系統級增益
高頻開關能力
開關頻率可達MHz級（較硅器件提升5-10倍），大幅降低無源器件（電感、電容）體積，功率密度提升50%以上。
減少開關損耗，系統效率突破94%，輕松滿足DoE VI、CoC V5、80 PLUS Titanium等全球嚴苛能效標準。
低導通損耗與高熱導率
相同耐壓下導通電阻（Rds(on)）顯著低于硅基MOSFET，降低導通損耗30%以上。
高熱導率加速散熱，降低熱阻（RthJC），系統溫升減少20%，延長器件壽命并簡化散熱設計。
系統級設計解放
支持LLC、PSFB等高效拓撲結構優化，助力實現65W~240W高功率輸出。
為USB PD 3.1 EPR（240W）、PPS等高動態快充協議提供底層硬件支持。
為產業鏈賦能的四大價值
設計端：釋放創新潛能
極致小型化：100W適配器體積縮小至傳統方案的1/3，滿足超薄筆電、多口快充墻插等緊湊場景。
縮短研發周期：快速驗證拓撲方案。
制造端：降本增效
降低BOM成本：高頻特性減少電容/電感用量，低熱耗削減散熱片成本。
提升良率與可靠性：器件一致性強，高溫工況下失效率低于硅基方案。
產品端：打造市場競爭力
終端能效提升直接降低用戶用電成本，契合全球碳中和政策。
低溫靜音運行（無風扇設計）提升用戶體驗，減少售后風險。
供應端：穩健交付保障
成熟量產的氮化鎵器件供應鏈，支持定制化需求與長期產能規劃。
為何選擇我們的氮化鎵解決方案？
全場景覆蓋：650V/900V多電壓平臺，滿足消費電子、數據中心、新能源等多領域需求。
技術閉環支持：
提供從器件選型、PCB布局到EMI優化的全流程FAE支持；
集成驅動GaN IC方案簡化設計門檻。
持續創新：研發高集成度智能功率模塊（IPM），引領下一代電源架構。
氮化鎵技術已從實驗室走向規?；逃茫蔀楦咝щ娫丛O計的基石。作為氮化鎵器件的核心供應商，我們致力于通過高性能、高可靠性的產品與深度技術協作，助力客戶優先市場先機。即刻探索我們的氮化鎵產品矩陣與參考設計，開啟電源設計的效率革命。
